一、DDR內(nèi)存條的類型

　　DDR內(nèi)存條有DDR1、DDR2、DDR3和DDR4四種類型，其中DDR4內(nèi)存條是當(dāng)前最先進的內(nèi)存技術(shù)，采用288位等寬數(shù)據(jù)總線，且傳輸速率比DDR3高1.5倍以上。DDR1和DDR2的傳輸速率都比DDR3要低，而且支持的最高內(nèi)存容量也較低，所以在使用DDR內(nèi)存條時應(yīng)首選DDR3或者DDR4。

　　二、DDR內(nèi)存條的頻率

　　DDR內(nèi)存條的頻率是指內(nèi)存主頻，不同的頻率能夠提升內(nèi)存的性能，DDR1、DDR2、DDR3和DDR4的頻率有所不同，其中DDR4的頻率最高，支持最高頻率達到2133MHz，而DDR3僅有800MHz，DDR2有667MHz，DDR1有400MHz。因此，在提升內(nèi)存性能時，DDR4頻率最高，DDR3其次，DDR2再其次，最后是DDR1。

　　三、DDR內(nèi)存條的容量

　　DDR內(nèi)存條的容量是指內(nèi)存條上儲存信息的最大容量，以GB為單位，DDR4容量最大，能夠支持8GB的容量，而DDR3最大支持4GB容量，DDR2最大只能支持2GB容量，DDR1最大只能支持1GB容量，所以在選擇內(nèi)存條時，應(yīng)根據(jù)自身需要選擇不同容量的內(nèi)存條。

　　四、DDR內(nèi)存條的接口

　　DDR內(nèi)存條的接口是指內(nèi)存條的插入接口，不同的接口能夠支持不同的內(nèi)存條，DDR4的接口是288針，DDR3的接口是240針，DDR2的接口是240針，而DDR1的接口是184針，如果插入錯誤的接口，將會導(dǎo)致內(nèi)存條無法工作。

　　五、DDR內(nèi)存條的延遲

　　DDR內(nèi)存條的延遲是指內(nèi)存條的時序延遲，可以提高內(nèi)存的傳輸速率，DDR4的延遲最小，能夠支持最高的傳輸速率，而DDR3的延遲要大一些，DDR2的延遲比DDR3大一些，而DDR1的延遲最大，所以在選擇內(nèi)存條時，應(yīng)根據(jù)自身需要選擇不同延遲的內(nèi)存條。

　　六、DDR內(nèi)存條的供電

　　DDR內(nèi)存條的供電是指內(nèi)存條的供電系統(tǒng)，供電系統(tǒng)決定了內(nèi)存條的穩(wěn)定性，DDR4的供電系統(tǒng)比DDR3先進，DDR3、DDR2、DDR1的供電系統(tǒng)相對較差，所以在選擇內(nèi)存條時，應(yīng)選擇DDR4，以保證內(nèi)存條的穩(wěn)定性。